特許

J-GLOBAL ID：200903062154882210

近接センサ

発明者： 南谷 保 ,  西川 雅永 ,  前田 陽一 ,  佐藤 友春
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-132386
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329186
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 部品点数を削減でき、かつ、動作温度範囲が広い近接センサを得る。【解決手段】 半導体磁気抵抗素子2に直列に抵抗素子5が接続されている。磁気抵抗素子2と抵抗素子5のそれぞれの一端は増幅用トランジスタ4のベースに接続され、磁気抵抗素子2の他端はトランジスタ4のエミッタに接続され、抵抗素子5の他端はトランジスタ4のコレクタに接続されている。抵抗素子5は、トランジスタ4の動作電圧を調整するためのものであり、広範囲の温度領域(例えば、-10°C〜+70°C)で、トランジスタ4のベース・エミッタ間電圧VBEがトランジスタ4の動作電圧及び感度の各温度特性に合うような抵抗温度係数を有している。

請求項（抜粋）：

半導体磁気抵抗素子と、前記半導体磁気抵抗素子をベース・エミッタ間に接続した増幅用トランジスタと、少なくとも一つの抵抗素子で構成された、前記増幅用トランジスタのベース・エミッタ間電圧を調整する抵抗回路とを備え、前記増幅用トランジスタのベース・エミッタ間電圧が前記増幅用トランジスタの動作電圧の温度特性に合うように、前記抵抗回路を構成している抵抗素子がそれぞれの抵抗温度係数を有していること、を特徴とする近接センサ。

IPC (3件)：

H01H 36/00 ,  H03K 17/90 ,  H03K 17/95

FI (3件)：

H01H 36/00 M ,  H03K 17/90 ,  H03K 17/95 G