特許

J-GLOBAL ID：200903062156175359

堆積膜の平坦化方法

発明者： 吉田 英朗
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-216446
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031577
出願日： 2001年07月17日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 CMPのオーバー研磨が終了したときに発生するディッシングを低減する。【解決手段】 半導体基板10上の層間絶縁膜11に配線溝12を形成した後、配線溝12の内面を含む層間絶縁膜11の表面にバリアメタル層13を形成する。バリアメタル層13の上に銅のシード層14を形成した後、電解めっき法によりシード層14を成長させて銅膜15を堆積する。銅膜15に対してCMPの第1段階を行なって平坦化された銅膜15Aを得た後、平坦化された銅膜15Aに対してCMPの第2段階を行なって埋め込み配線15Bを形成し、その後、バリアメタル層13における配線溝12の外側に存在する部分を除去する。銅膜15の厚さは配線溝12の深さの1.6倍〜2.0倍に設定されている。

請求項（抜粋）：

基板の表面部に溝を形成する工程と、前記基板上に前記溝が埋まるように堆積膜を形成する工程と、前記堆積膜に対して第1段階の化学機械研磨を行なって、前記堆積膜に前記溝の起因して形成されている初期段差を解消する工程と、前記初期段差が解消した前記堆積膜に対して第2段階の化学機械研磨を行なって、前記堆積膜における前記溝の外側に存在する部分を除去する工程とを備え、前記堆積膜の厚さは、前記溝の深さの1.6倍以上で且つ2.0倍以下に設定されていることを特徴とする堆積膜の平坦化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 622 M ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/306 M

Fターム (25件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07 ,  5F043GG02