特許

J-GLOBAL ID：200903062162591984

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

発明者： 今藤 修 ,  橋本 忠朗 ,  粂 雅博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292320
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134878
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 転位密度の少ない良質のGaN系化合物半導体の結晶を成長させる方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11の上に、MBE法により、厚みが50nm以下のGa薄膜12を形成する。その後、MOCVD法によりGa薄膜12の上に窒化層13を形成し、さらに、MOCVD法により窒化層13の上にGaN結晶を成長させる。液状のGa薄膜12のバッファ層としての機能により、格子不整による格子欠陥と、熱膨張係数の相違による熱歪みが緩和され、界面エネルギーも低減されるので、2次元成長が実現する。そして、105 cm-2程度の小さな転位密度を有するGaN結晶が得られる。窒化層13を設けずに直接Ga薄膜上にGaN等の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させてもよい。

請求項（抜粋）：

基板上にGa薄膜を形成する工程と、上記Ga薄膜上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる工程とを備えていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18