特許
J-GLOBAL ID:200903062166348561

太陽電池の電極形成方法およびその方法により製造される太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-359488
公開番号(公開出願番号):特開2004-193337
出願日: 2002年12月11日
公開日(公表日): 2004年07月08日
要約:
【課題】めっき電極の機械的密着性および電気的接触性を向上させると共に簡便な工程で、低コストで高効率な太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池の電極形成方法は、めっき法により半導体基板1上に電極11,12を形成した後、熱処理により半導体基板1とめっき電極11,12との界面に、半導体とめっき金属との合金層15,16を形成することを特徴とする。また、本発明の太陽電池は、めっき法により半導体基板1上に電極11,12を形成した後、熱処理により半導体基板1とめっき電極11,12との界面に、半導体とめっき金属との合金層15,16を形成する方法により製造されることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
めっき法により半導体基板上に電極を形成した後、熱処理により半導体基板とめっき電極との界面に、半導体とめっき金属との合金層を形成することを特徴とする太陽電池の電極形成方法。
IPC (1件):
H01L31/04
FI (2件):
H01L31/04 X ,  H01L31/04 H
Fターム (11件):
5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051CB20 ,  5F051CB25 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA24 ,  5F051FA25

前のページに戻る