特許
J-GLOBAL ID：200903062166615900
フォトマスク、その作成方法及びそのフォトマスクを用いたパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000007772
公開番号（公開出願番号）：WO2001-035166
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月17日
要約：
【要約】マスクとなる透過性基板100上に、遮光膜領域101と位相シフト領域102とから構成された孤立した遮光性パターンが形成されている。位相シフト領域102は、透過性基板100の光透過領域に対して位相差を有している。また、位相シフト領域102の幅は、同一の幅を有する遮光膜の遮光性と比べて位相シフト領域102の遮光性が同程度以上になるように設定されている。
請求項（抜粋）：
光源に対して透過性を有する透過性基板上に孤立した遮光性パターンが形成されたフォトマスクであって、 前記遮光性パターンは、遮光膜よりなる遮光膜領域と、前記透過性基板のうち前記遮光性パターンが形成されていない光透過領域に対して位相差を有する位相シフト領域とから構成されており、 前記位相シフト領域の幅は、同一の幅を有する前記遮光膜の遮光性と比べて前記位相シフト領域の遮光性が同程度以上になるように設定されていることを特徴とするフォトマスク。
IPC (1件)：
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