特許

J-GLOBAL ID：200903062174889075

半導体装置

発明者： 山崎 亨
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264361
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003246
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】LOCOS型のフィールド酸化膜とU溝分離領域とからなる素子分離領域において、リーク電流の発生,および寄生容量の増大の抑制を可能にする。【構成】U溝分離領域は、フィールド酸化膜110を貫通して設けられたU溝112,チャネルストッパ114,U溝に露出したシリコン基板部分の熱酸化によるシリコン酸化膜113,U溝に埋め込まれた熱流動性のBPSG膜115c,上面がフィールド酸化膜の上面と概略一致しかつ底面がBPSG膜の上面と接続してU溝内部に埋め込まれた非熱流動性のシリコン酸化膜116a,およびU溝の上端においてシリコン酸化膜116aの上面と接続してU溝の上端を覆うシリコン窒化膜117から構成される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面に形成されたLOCOS型のフィールド酸化膜と、前記フィールド酸化膜を貫通してその底面が少なくとも前記シリコン基板に達するように設けられたU溝と、前記シリコン基板の前記底面に露出した部分に設けられたチャネルストッパと、前記シリコン基板の前記U溝に露出した部分に設けられた絶縁膜からなる第1の膜と、前記U溝内部に埋め込まれた第2の膜と、からなる素子分離領域を有する半導体装置において、 前記第1の膜が前記U溝露出部分の熱酸化によるシリコン酸化膜からなり、前記第2の膜が熱流動性を有して前記U溝に埋め込まれた絶縁膜からなることと、その上面が前記フィールド酸化膜の上面と概略一致し、その底面が前記第2の膜の上面と接続して前記U溝内部に埋め込まれた非熱流動性を有する膜からなる第3の膜と、前記U溝の上端において前記第3の膜の上面と接続し、前記U溝の上端を覆う絶縁膜からなる第4の膜と、をさらに備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-009948
  
• 特開昭64-089337