特許
J-GLOBAL ID：200903062175854526
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100152
公開番号（公開出願番号）：特開平5-273767
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【構成】 放射線感応性材料の層を基板上に設け、この層にパターン状の放射線を照射し、有機珪素化合物で処理してシリル化反応によりあるいは有機ゲルマニウム化合物で処理してゲルミル化反応により所望のパターンを形成し、プラズマにより現像するパターン形成方法であって、照射する放射線の波長における、上記放射線感応性材料の吸光度が膜厚1μmにおいて0.8〜3の間にあることを特徴とするパターン形成方法。【効果】 微細パターンにおいてもレジストの焦点深度が飛躍的に大きくなり、また段差の大きな下地基板を用いても十分なフォトマスクパターンの忠実性とプロセスウィンドーの余裕が得られるようになった。さらに、露光、未露光部のコントラストが大きくなり、限界解像度等の解像性能やパターンサイズによる線形性(フォトマスクパターンサイズと形成されたパターンサイズの比)も向上した。
請求項（抜粋）：
放射線感応性材料の層を基板上に設け、この層にパターン状の放射線を照射し、有機珪素化合物で処理してシリル化反応によりあるいは有機ゲルマニウム化合物で処理してゲルミル化反応により所望のパターンを形成し、プラズマにより現像するパターン形成方法であって、照射する放射線の波長における、上記放射線感応性材料の吸光度が膜厚1μmにおいて0.8〜3の間にあることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 512
, G03F 7/36
, H01L 21/027
H01L 21/30 361 K
, H01L 21/30 361 N
