特許

J-GLOBAL ID：200903062177506886

半導体薄膜を用いた光弁装置とその製造方法

発明者： 鷹巣 博昭 ,  小島 芳和 ,  高橋 邦博
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-009586
公開番号（公開出願番号）：特開平6-130406
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【構成】 下地絶縁層の上に、半導体薄膜層が形成された複合基板上に、単結晶半導体よりなるチャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域などが形成され、さらに、前記チャネル形成領域上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されてMOS型トランジスタが構成され、さらに前記下地絶縁層の上方に画素電極が形成された複合基板と、電極が形成された対向基板とを対面してGapを設けて接着し、前記Gapに液晶材料などからなる電気光学物質を封入した光弁装置。【効果】 光照射時における前記MOS型トランジスタの寄生チャネルおよびバイポーラアクションの発生を防止し、OFFリーク電流増加を抑止する。

請求項（抜粋）：

下地絶縁層の上に半導体薄膜層が積層形成された複合基板であり、該半導体薄膜層に単結晶半導体薄膜層からなるチャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域とが形成され、該チャネル領域の上にゲート絶縁膜とゲート電極が順次積層形成されて成るMOS型トランジスタが構成され、該複合基板上にはドレイン領域と電気的接続された画素電極が形成され、所定の間隔を介して対向基板と該複合基板とが対向して接着され、該間隔には電気光学物質が封入され、該MOS型トランジスタにより該画素電極に選択的に給電することにより、該電気光学物質の光透過量が変化して動作する光弁装置であって、該単結晶半導体層薄膜層の該ソース領域と該ドレイン領域の間の光照射に伴うリーク電流の発生を防止したことを特徴とする光弁装置。

IPC (2件)：

G02F 1/1343 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-142418
  
• 特開昭50-121091
  
• 特開平2-081476
  
• 特開昭63-101832
  
• 特開平4-010434