特許

J-GLOBAL ID：200903062179856230

シリコン基板の加工方法

発明者： 茅野 祐治 ,  跡部 光朗
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158773
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008222
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】被エッチング面積が増加してもエッチングレートが低下しないシリコン基板の加工方法を提供する。【解決手段】シリコン基板表面にドライエッチングのためのマスク層を形成する第1の工程と、前記マスク層に任意形状の貫通穴パターンを形成する第2の工程と、前記貫通穴パターン内部に穴開け加工を施して前記貫通穴パターンより小さい貫通穴を形成する第3の工程と、前記貫通穴パターンより小さい貫通穴形成後に異方性ドライエッチングによって前記シリコン基板表面に垂直な任意形状の貫通穴を形成する第4の工程と、を有することを特徴とするシリコン基板の加工方法。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面にドライエッチングのためのマスク層を形成する第1の工程と、前記マスク層に任意形状の貫通穴パターンを形成する第2の工程と、前記貫通穴パターン内部に穴開け加工を施して前記貫通穴パターンより小さい貫通穴を形成する第3の工程と、前記貫通穴パターンより小さい貫通穴形成後に異方性ドライエッチングによって前記シリコン基板表面に垂直な任意形状の貫通穴を形成する第4の工程と、を有することを特徴とするシリコン基板の加工方法。