特許

J-GLOBAL ID：200903062186801521

像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法

発明者： 鈴木 章義
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194132
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036586
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 エッジ強調型位相シフトレチクルを結像する際の焦点深度や解像力を向上させる。【構成】 照明光でエッジ強調型位相シフトレチクル41を斜め照明し、レチクル41の微細パタ-ンで生じる互いに強度がほぼ等しい0次回折光5a’と1次回折光5c’とを投影光学系7の瞳に、予め決めた軸に関して対象に分布するよう入射させ、この0次回折光5a’と1次回折光5c’とにより微細パタ-ンを結像させる。

請求項（抜粋）：

原板の微細パタ-ンを照明し、該微細パタ-ンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射させて該微細パタ-ンの像を投影する方法において、前記原板にエッジ強調型位相シフトレチクルを使用し、前記瞳に中心部よりも周辺部の強度が強い有効光源を形成する光で該レチクルを照明することを特徴とする像投影方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 311 S ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W