特許

J-GLOBAL ID：200903062193320598

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 田中 俊明 ,  安田 雅昭 ,  森下 芳伊 ,  西澤 廣 ,  矢野 康洋 ,  金田 愛三
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071025
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257282
出願日： 2000年03月09日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 樹脂層を有した半導体装置において、熱応力に起因するはんだ接続部の断線などの不良を防止できる信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 弾性率が0.2〜3.0GPaであり、かつ、ガラス転移温度が180°C以上であり、かつ5%重量減少温度が300°C以上である樹脂を電子回路が形成された半導体ウエハ上に印刷して複数個の樹脂層を形成し、前記樹脂層上に前記半導体ウエハの電極と電気的に導通した第二の配線層を形成し、前記第二の配線層上に前記樹脂を印刷して第二の配線層の保護層を複数個形成し、前記第二の配線層の保護層に前記第二の配線層に到達する貫通孔を設け、前記貫通孔に外部電極端子を形成し、前記半導体ウエハを切断して個々の半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

25°Cにおける弾性率が0.2〜3.0GPaであり、かつ、ガラス転移温度が180°C以上であり、かつ5%重量減少温度が300°C以上である樹脂を電子回路が形成された半導体ウエハ上に印刷して複数個の樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に前記半導体ウエハの電極と電気的に導通した第二の配線層を形成する工程と、前記第二の配線層上に前記樹脂を印刷して第二の配線層の保護層を複数個形成する工程と、前記第二の配線層の保護層に前記第二の配線層に到達する貫通孔を設ける工程と、前記貫通孔に外部電極端子を形成する工程と、前記半導体ウエハを切断して個々の半導体装置を得る工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。