特許
J-GLOBAL ID：200903062193999256
マスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100303
公開番号（公開出願番号）：特開平6-289593
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 膜厚の均一な位相シフタ膜を形成することができて、レジストパターンに寸法変動を生じさせないマスクを製造する。【構成】 レチクル基板11に遮光膜13のパターンの凹部22を形成し、遮光膜13を全面に堆積させる。そして、研磨で遮光膜13を凹部22内にのみ残してレチクル基板11の表面を平坦化してから、レチクル基板11上に位相シフタ膜15を形成する。この様にレチクル基板11の表面を平坦化してから、レチクル基板11上に位相シフタ膜15を形成しているので、遮光膜13のパターンに拘らず膜厚の均一な位相シフタ膜15を形成することができる。
請求項（抜粋）：
透光性の基板に遮光膜のパターンの凹部を形成する工程と、前記凹部内にのみ前記遮光膜を埋め込んで、前記基板の表面を平坦化する工程と、前記表面を平坦化した前記基板上に位相シフタ膜を形成する工程とを有することを特徴とするマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
