特許
J-GLOBAL ID：200903062195056766
パワーモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309166
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161925
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 放熱性の向上によるMOS-FETの素子数を削減、配線の自由度の向上による各基板の小形化、およびシリコンゲル注入量の削減により、コストの低減および小形化を図ったパワーモジュールを得ることを目的とする。【構成】 MOS-FET5及び抵抗体3からなる発熱素子は金属放熱板30上に銅ヒートシンク4及びアルミナ絶縁板12等を介して半田で接合し、発熱素子3、5用の回路パターン21はこの金属放熱板30の上方に設けた金属基板20上に形成した。そして金属基板20の、発熱素子3、5の上部に当たる部分にそれぞれ開口穴22を設け、これらを介して発熱素子3、5と金属基板20をアルミ線6で接続した。また、発熱素子3、5の周囲を囲むリング13を金属放熱板30と金属基板20の間に設け、保護材11を注入した。
請求項（抜粋）：
熱伝導率の良い放熱体と、この放熱体上に絶縁板を介して半田付けされた発熱素子と、この放熱体の上方に配置され、上面に上記発熱素子のための回路パターンが形成され、上記発熱素子に対応する位置に開口穴が設けられた金属基板と、この金属基板の開口穴を介して上記回路パターンと発熱素子とを接続する金属線と、を備えたパワーモジュール。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, G01R 31/26
