特許
J-GLOBAL ID：200903062196889109
単結晶SiC及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 恭弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-096570
公開番号（公開出願番号）：特開2008-254945
出願日： 2007年04月02日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】多結晶ドメインの混在のない高品質な単結晶SiCを安定してエピタキシャルに成長させることが可能な単結晶SiC製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶SiCを提供する。【解決手段】SiC種結晶4が固定されたサセプタ5及び単結晶SiC製造用原料を供給するための原料供給管6を坩堝内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝2内に単結晶SiC製造用原料を不活性ガスAと共に原料供給管6を通してSiC種結晶4上に供給して単結晶SiCを成長させる成長工程を含み、成長工程において、SiO2粒子と、カーボン(C)粒子と、少なくとも1つの特定粒子とを供給し、特定粒子は、融点及び/又は昇華点が900°C以上2,400°C以下である単結晶SiCの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiC種結晶が固定されたサセプタ及び単結晶SiC製造用原料を供給するための原料供給管を坩堝内に配置する配置工程、並びに、
高温雰囲気とした該坩堝内に該単結晶SiC製造用原料を不活性ガスと共に原料供給管を通してSiC種結晶上に供給して単結晶SiCを成長させる成長工程を含み、
該成長工程において、SiO2粒子と、カーボン(C)粒子と、少なくとも1つの特定粒子とを供給し、
該特定粒子は、融点及び/又は昇華点が900°C以上2,400°C以下であることを特徴とする
単結晶SiCの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE08
, 4G077CA01
, 4G077CA08
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077EB03
, 4G077EC10
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077JA02
, 4G077JB02
, 4G077JB12
