特許

J-GLOBAL ID：200903062201037442

半導体発光装置

発明者： 小屋 賢一 ,  井上 登美男
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283318
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121810
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 たとえばAgを混入した導電性のペーストによって発光素子を固定するアセンブリーであっても、光取り出し面以外からの発光を効率良く回収して外部量子効率を向上させる。【解決手段】 p-n接合の半導体層を透明の結晶基板の上に積層した発光素子を接着用のペーストによりリードフレームまたはプリント基板の素子搭載面に接着するに際し、結晶基板とリードフレームまたはプリント基板の素子搭載面との間を、少なくとも2以上のスポット的なペーストの塗布領域によって接着し、ペーストを導電性とする場合にAgを混入したものを使用しても、ペーストの塗布範囲を小さくしたことによりAgペーストによる光の吸収度を抑え、素子搭載面側からの反射光を光取り出し面側へ効率よく回収する。

請求項（抜粋）：

p-n接合の半導体層を透明の結晶基板の上に積層した発光素子と、この発光素子を搭載して接着用のペーストにより固定するリードフレームもしくはプリント基板とを備える半導体発光装置であって、結晶基板とリードフレームまたはプリント基板の素子搭載面との間を、少なくとも2以上のスポット的なペーストの塗布領域によって接着してなる半導体発光装置。