特許

J-GLOBAL ID：200903062203573430

次亜塩素酸発生システム

発明者： 広 直樹 ,  樂間 毅 ,  小泉 友人
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 雨笠 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256276
公開番号（公開出願番号）：特開2003-062575
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月04日
要約：

【要約】【課題】 希薄塩化物イオン条件下であっても、効率的に次亜塩素酸を発生させることができる次亜塩素酸発生システムを提供する。【解決手段】 本発明は、アノード6とカソード7間に電圧を印加し、電解によって被処理水中に次亜塩素酸を発生させるシステムであって、カソード7とアノード6間に印加する電圧を制御する制御装置22を備え、この制御装置22は、被処理水中の塩化物イオンの濃度に基づき、カソード7とアノード6間に印加する電圧を、所定の最大値と最小値の間で周期的に変化させる。

請求項（抜粋）：

アノードとカソード間に電圧を印加し、電解によって被処理水中に次亜塩素酸を発生させるシステムであって、前記カソードとアノード間に印加する電圧を制御する制御装置を備え、該制御装置は、被処理水中の塩化物イオンの濃度に基づき、前記カソードとアノード間に印加する電圧を、所定の最大値と最小値の間で周期的に変化させることを特徴とする次亜塩素酸発生システム。

IPC (8件)：

C02F 1/46 ,  C02F 1/50 510 ,  C02F 1/50 520 ,  C02F 1/50 531 ,  C02F 1/50 550 ,  C02F 1/50 560 ,  C25B 1/26 ,  C25B 9/00

FI (8件)：

C02F 1/46 Z ,  C02F 1/50 510 A ,  C02F 1/50 520 L ,  C02F 1/50 531 M ,  C02F 1/50 550 D ,  C02F 1/50 560 F ,  C25B 1/26 C ,  C25B 9/00 A

Fターム (23件)：

4D061DA07 ,  4D061DB10 ,  4D061EA02 ,  4D061EB05 ,  4D061EB14 ,  4D061EB17 ,  4D061EB20 ,  4D061EB30 ,  4D061EB31 ,  4D061EB37 ,  4D061EB39 ,  4D061GA05 ,  4D061GA06 ,  4D061GA12 ,  4D061GC14 ,  4D061GC16 ,  4K021AB07 ,  4K021BA02 ,  4K021BB03 ,  4K021BC09 ,  4K021DA03 ,  4K021DA09 ,  4K021DC07