特許
J-GLOBAL ID：200903062206278324
半導体基板の平坦化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223902
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058089
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 半導体結晶基板上に存在する凹凸を取り除き、原子レベルで大域的に平坦な表面を得ることを目的とする。【構成】 基板1表面に対してほぼ平行な角度でイオンビームを照射する。このとき、イオンビームのイオン3は基盤1用面のテラス部分2では反射するが、ステップエッジ4が存在すると、この側面に対してはイオン3がほぼ垂直に入射するためスパッタリングが起こり、ステップエッジ4が選択的にエッチングされる。
請求項（抜粋）：
回転している半導体基板にこの表面に対してほぼ平行な角度でイオンビームを照射して前記半導体基板の表面を原子単位で平坦化する半導体基板の平坦化方法であって、前記イオンビームのイオンが前記半導体基板表面に衝突したとき、注入効率よりスパッタリング効率の高くなる範囲のエネルギーで、このイオンビームを加速することを特徴とする半導体基板の平坦化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01J 37/305
H01L 21/302 L
, H01L 21/302 D
