特許

J-GLOBAL ID：200903062209989876

半導体装置の製造方法

発明者： 小野 寿子 ,  二宮 尚美 ,  飯島 匡 ,  西山 彰 ,  牛久 幸広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273863
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005585
出願日： 1992年10月13日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装置における二酸化ケイ素膜の形成方法に関する。【構成】 レジスト上にO2 処理を施し、表面をO2 で置換させることにより、レジストを含めたウエハ全面にSiO2 膜を堆積させる。その後、エッチバック法を用いることにより、配線溝、スルーホール、ゲート電極溝等に対応する溝を形成する。【効果】 本発明によりレジスト上にも下地絶縁膜と同様の膜厚でSiO2 膜を堆積させることが可能となるため、SiO2 膜堆積に対する下地絶縁膜とレジストとの選択性の乱れを考慮することなく、所望のパターンを形成することができる。

請求項（抜粋）：

基体上に有機膜を選択的に形成する工程と、露出した前記基体及び有機膜表面を酸素で置換する工程と、ケイフッ化水素酸水溶液に二酸化ケイ素を飽和させた水溶液中に浸積せしめることにより、前記露出した基体表面及び有機膜表面に二酸化ケイ素膜を成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。