特許
J-GLOBAL ID：200903062214808588
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-360027
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204222
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗でマイグレーション耐性に優れた銅配線を半導体集積回路に用いた時に、銅配線との間の密着性が良く且つ銅配線との間に相互拡散を生じない絶縁膜を提供する。【構成】 銅配線3と接触する絶縁膜2、4に、シリコン系の絶縁膜を用いず、MgO、ZrO2 、CeO2 、Y2 O3 、SrTiO3 等の金属酸化膜を用いる。
請求項（抜粋）：
銅系配線膜と接触する絶縁膜に、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、希土類金属酸化物及びペロブスカイト型複合金属酸化物からなる群より選ばれた少なくとも1種が用いられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
