特許
J-GLOBAL ID：200903062215347916
薄膜光電変換モジュールの製造方法及び薄膜光電変換モジュールの欠陥修復装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317180
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135839
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】モジュール出力が十分に向上された薄膜光電変換モジュールを製造することを可能とする薄膜光電変換モジュールの製造方法及び薄膜光電変換モジュールの欠陥修復装置を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜光電変換モジュール1の製造方法は、基板2上に第1の電極層3、薄膜光電変換ユニット4、及び第2の電極層5を順次積層した構造をそれぞれ有し且つ相互に接続された複数の薄膜光電変換セル10-nを形成する工程と、前記複数の薄膜光電変換セル10-nに対して欠陥修復処理を順次施す工程とを含み、前記欠陥修復処理は、前記複数の薄膜光電変換セル10-nの1つに逆バイアス電圧を印加することにより前記第1の電極層3と前記第2の電極層5との短絡部9を絶縁処理すること、及び前記絶縁処理を施した薄膜光電変換セル10-nに光を照射して出力特性を測定し、その測定結果に基づいて前記絶縁処理の再実施の要否を判断することを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の電極層、薄膜光電変換ユニット、及び第2の電極層を順次積層した構造をそれぞれ有し且つ相互に接続された複数の薄膜光電変換セルを形成する工程と、前記複数の薄膜光電変換セルに対して欠陥修復処理を順次施す工程とを含み、前記欠陥修復処理は、前記複数の薄膜光電変換セルの1つに逆バイアス電圧を印加することにより前記第1の電極層と前記第2の電極層との短絡部を絶縁処理すること、及び前記絶縁処理を施した薄膜光電変換セルに光を照射して出力特性を測定し、その測定結果に基づいて前記絶縁処理の再実施の要否を判断することを含むことを特徴とする薄膜光電変換モジュールの製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 S
5F051BA14
, 5F051CB30
, 5F051EA20
