特許

J-GLOBAL ID：200903062220049974

半導体装置の製造方法

発明者： 市之瀬 秀夫 ,  大岩 徳久 ,  太田 英男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185852
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015597
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】ポリシラン膜を選択的に剥離する。【解決手段】半導体基板11上の酸化膜12にメタル配線13が形成されたダマシン構造を形成する。そして、シリコン酸化膜14及びレジスト膜16を順次形成する。図1(b)に示すように、レジスト膜16をパターニングした後、RIEによりポリシラン膜15をエッチングする。図1(c)に示すように、RIEによりシリコン酸化膜14をエッチングし、メタル配線13を露出させる。次いで、図1(d)に示すように、基板温度を常温に設定し、O2 ガスを用いたRIEによりレジスト膜16の表面の硬化層を除去する。次いで、基板温度を常温に設定した状態で、CF4 /O2 混合ガスを用いたダウンフローアッシングにより、レジスト膜16及びポリシラン膜15の剥離を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の下地層上に形成された、シリコンとシリコンとの結合を主鎖にする有機シリコン化合物を含有するガラス転移温度が0°C以上の有機シリコン膜を剥離するに際し、80°C以下の基板温度でフッ素及び酸素を含む反応ガスを用いたプラズマエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 D

Fターム (34件)：

5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EA22 ,  5F004EB01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR25 ,  5F033WW03 ,  5F046MA12 ,  5F046MA18 ,  5F046PA07