半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058678
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267303
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【構成】半導体基板1上に酸化シリコン膜2を形成したのち、アルミニウム配線(図示せず)に接続するバンプ電極3を形成する。つぎにポリイミド膜4を形成したのち、ポジ型レジスト5を塗布・露光してから、現像すると同時にバンプ電極3上のアルカリ可溶のポリイミドをエッチングする。つぎにレジスト5を剥離したのち、プラズマ酸化シリコン膜6を堆積してからエッチバックして、バンプ電極3に側壁絶縁膜4および6を形成する。【効果】バンプ電極の側壁に変形量の大きいポリイミド膜を形成して、その外周を変形量の小さいプラズマ酸化シリコン膜で覆うことにより、ボンディング工程におけるバンプ電極の変形によるショートを抑えるとともに、バンプ電極下部近傍の側壁絶縁膜のクラックを防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面にバンプ電極が形成され、前記バンプ電極の側面に接して、圧力を加えたときの変形量が大きい膜から小さい膜の順に少なくとも2種類以上の絶縁膜を積層した側壁が形成された半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 C , H01L 21/92 F

前のページに戻る