特許

J-GLOBAL ID：200903062229664434

半導体装置

発明者： 井田 秀二 ,  黒川 英夫 ,  鈴木 知彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-190258
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041428
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 各種電子機器に利用される半導体装置に関し、出力数の増加や動作の高速化に伴い増加するスイッチングノイズによって半導体素子が誤動作しやすくなるという課題を解決し、放熱特性が良く、高速動作ができる半導体装置を安価に提供することを目的とする。【解決手段】 半導体素子1の電源端子および接地端子に接続された導体配線3上の絶縁性フィルム2にあらかじめ設けておいたスルーホール6に導電性材料7を充填し、金属板5と導体配線3を電気的に接続する構成とすることにより、半導体素子1の電源端子および接地端子のインダクタンスが低減でき、同時スイッチングノイズを抑制し、半導体素子の高速動作ができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性フィルム上に接着された導体層にパターン形成された導体配線を備えたテープキャリアと、前記導体配線に接続された半導体素子と、前記絶縁性フィルムに接着された金属板と、前記導体配線上に形成された半田ボールと、前記半導体素子の電源端子および接地端子に接続された前記導体配線と前記金属板を電気的に接続する前記絶縁性フィルムに設けられたスルーホールと、前記スルーホールに充填された導電性材料からなる半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 W