特許

J-GLOBAL ID：200903062230410756

半導体基板の金属不純物の分析方法

発明者： 平野 則子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385395
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184828
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの清浄度管理で要求される107〜108atoms/cm2レベルの金属不純物を、多元素同時に精度良く分析する分析法を提供する。【解決手段】 半導体基板に含まれない成分を内標準物質として添加した分解液により半導体基板を処理し、前記半導体基板を処理した分解液を分析用基板上で乾固し、前記分析用基板上で乾固した成分を飛行時間型二次イオン質量分析装置により分析する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に含まれない成分を内標準物質として添加した分解液により半導体基板を処理する工程と、前記半導体基板を処理した分解液を分析用基板上で乾固する工程と、前記分析用基板上で乾固した成分を飛行時間型二次イオン質量分析装置により分析する工程とを備えたことを特徴とする半導体基板の金属不純物の分析方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  G01N 23/225 ,  G01N 27/62 ,  H01J 49/04

FI (6件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 23/225 ,  G01N 27/62 K ,  G01N 27/62 V ,  H01J 49/04 ,  G01N 1/28 X

Fターム (37件)：

2G001AA05 ,  2G001BA06 ,  2G001CA05 ,  2G001EA04 ,  2G001GA01 ,  2G001GA02 ,  2G001JA12 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA05 ,  2G001NA06 ,  2G001NA10 ,  2G001NA13 ,  2G001NA17 ,  2G001RA02 ,  2G001RA03 ,  2G001RA20 ,  2G001SA12 ,  2G052AA13 ,  2G052AB27 ,  2G052AC28 ,  2G052AD12 ,  2G052FD09 ,  2G052GA24 ,  4M106AA01 ,  4M106BA03 ,  4M106BA12 ,  4M106CB01 ,  4M106DH01 ,  4M106DH11 ,  4M106DH55 ,  4M106DH60 ,  5C038EE02 ,  5C038EE03 ,  5C038EF25 ,  5C038EF26