特許
J-GLOBAL ID：200903062233271820
薄膜成長温度の補正方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-225347
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040663
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 薄膜成長における基板の実温を低コストかつ短時間にて測定し、補正する。【解決手段】 加熱源の設定温度と基板の実温とのずれ量(以下、温度特性と称する。)が既知の第1の薄膜成長装置を用い、「薄膜成長速度vs基板の実温」を表す第1の検量線を作成する。次に、温度特性が未知の第2の薄膜成長装置を用いてある設定温度T2で薄膜成長を行い、その時の薄膜成長速度Gに対応して第1の検量線から読み取れる基板の実温T1とのずれ量(T2-T1)を求める。このずれ量を、実際に薄膜成長を行う供給律速温度域内の設定温度T3に加算すると、正確な基板表面温度にて薄膜成長が行える。第1の薄膜成長装置の温度特性は、イオン注入による試験用基板を用いて作成した「シート抵抗vs基板の実温」の相関を表す第2の検量線にもとづいて知ることができる。
請求項（抜粋）：
反応律速温度領域内の薄膜成長速度から求めた加熱源の設定温度と基板の実温との間のずれ量を、供給律速温度域内で薄膜成長を行う際の加熱源の設定温度に加算することを特徴とする薄膜成長温度の補正方法。
Fターム (15件)：
5F045AB02
, 5F045AB32
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AF03
, 5F045AF13
, 5F045AF19
, 5F045BB08
, 5F045EK27
, 5F045GB15
, 5F045HA05
