特許
J-GLOBAL ID：200903062234540514
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
机 昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358879
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158132
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】従来の自己整合型バイポーラトランジスタにおいて、微細なエミッタを形成する際に、エミッタ上に絶縁膜の開口を形成し、その上にN +型不純物含有のポリシリコンを堆積し、ポリシリコンからN +型不純物を半導体基板に拡散させる方法が採られるが、エミッタ上の開口が適正に形成されず、開口近傍にポリシリコンのボイドが生じ、所定のエミッタ幅が得られないという問題がある。【解決手段】真性ベース8上に直接、基板1から離れるに従いボロン濃度が高くなるボロンドープト酸化シリコン7a、7bを形成し、エミッタ幅を決定するエミッタ開口をボロンドープト酸化シリコンのウェットエッチングにより形成するので、角度の小さな逆テーパーがエミッタ開口に形成され、エミッタ開口を埋めるN +型ポリシリコン11にボイドが発生せず、エミッタ幅が制御性良く決定される。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板の活性領域中に逆導電型の真性ベース及び真性ベースの側部に連結する逆導電型のグラフトベース、さらに真性ベース中に一導電型のエミッタを有する半導体装置であって、前記半導体基板表面の前記真性ベースの形成領域上に直接接して形成された逆導電型の不純物を含むドープト絶縁膜を不純物拡散源として前記真性ベースの形成領域に前記逆導電型の不純物を拡散させることにより形成される真性ベースと、前記ドープト絶縁膜のうち前記エミッタの形成領域上の前記ドープト絶縁膜を除去してエミッタ拡散開口を形成し、前記エミッタ拡散開口を一導電型の不純物を含む導電性材料で埋め込み、前記一導電型の不純物を前記エミッタの形成領域に拡散させることにより形成されるエミッタとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/331
, H01L 29/732
5F003BA12
, 5F003BB06
, 5F003BB07
, 5F003BC08
, 5F003BE07
, 5F003BE08
, 5F003BH05
, 5F003BH07
, 5F003BP01
, 5F003BP11
, 5F003BP21
, 5F003BP31
, 5F003BP42
, 5F003BP46
