特許
J-GLOBAL ID：200903062235561752
レーザダイオード素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308357
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129970
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 伝送速度数百Mb/s以上、伝送距離数十Km以上の長距離高速光通信システム用の光源としてレーザダイオード素子を構成する場合、広い温度範囲(-40〜+85°C)で良好な光出力特性ならびに変調特性を得ることが困難になる。【解決手段】 1.3μm帯λ/4シフト分布帰還型のレーザダイオードにおいて、InGaAsP歪多重量子井戸からなる活性層を有し、共振器長300〜600μm、かつ、室温での離調量-15〜+15nmで、量子井戸数8〜15層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が3〜10%となるように素子を構成する。
請求項（抜粋）：
InGaAsP歪多重量子井戸からなる活性層を有し、共振器長300〜600μm、かつ、室温での離調量-15〜+15nmで、量子井戸数8〜15層もしくは量子井戸層への光閉じ込め係数が3〜10%であることを特徴とする1.3μm帯λ/4シフト分布帰還型のレーザダイオード素子。
引用特許：
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