特許

J-GLOBAL ID：200903062237853742

半導体装置の製造方法

発明者： 両角 幸男 ,  平野 優
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179996
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029282
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】平坦性の改善と長期信頼性並びにデバイス特性の向上をなす保護絶縁膜構造を提供し、高品質な微細半導体装置の安定供給を図る。【構成】最終の金属配線13上にプラズマ成長させた第1のシリコン酸化膜14とスピンコートした無機塗布ガラス18と有機塗布ガラスに15を積層し、更に第2のシリコン酸化膜16を積層してからプラズマ反応のシリコン窒化膜17を成長した後ボンディングパッド部の開孔を施す。

請求項（抜粋）：

半導体装置の最終金属配線上の保護絶縁膜の形成に於いて、少なくとも、有機シランとO2をプラズマ気相成長させた第1のシリコン酸化膜を形成する工程、塗布ガラスを積層させる工程、第2のシリコン酸化膜を積層する工程、プラズマ反応によるシリコン窒化膜を成長する工程を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-158519
  
• 特開平4-181733
  
• 特開平1-239939
  
• 特開平4-094127