集積化半導体光素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297242
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162706
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】第1及び第2光導波路層側のストライプの中心軸ずれを生じない集積化半導体光素子の製造方法を提供する。【構成】下地上に島状の第1光導波路予備層を形成した後、第1光導波路予備層の周辺を第2光導波路予備層で埋め込む工程と、第1及び第2光導波路予備層の上側表面にわたってストライプ状の第1マスク30を形成した後、これら予備層に対しエッチングを行ってストライプ方向に連続する第1及び第2光導波路層を含むストライプ状のリッジ36を形成する工程と、第2光導波路層側のリッジ34の部分の全体を第2マスク38で覆う工程と、第1光導波路層側のリッジ32の両側面に接する領域であってエッチングによる露出面上に第1埋込み層を形成する工程と、第2及び第1マスクを順次除去した後、第2光導波路層側のリッジの両側面に接する領域であって露出面上に第2埋込み層を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

ストライプ状の光導波路の両側面に接する領域であってストライプ方向に異なる材料を埋め込んだ集積化半導体光素子を製造する方法において、(a)下地上に島状の第1光導波路予備層を形成した後、該第1光導波路予備層の周辺を第2光導波路予備層で埋め込む工程と、(b)前記第1及び第2光導波路予備層の上側にわたってストライプ状の第1マスクを形成した後、これら予備層に対しエッチングを行ってストライプ方向に連続する第1及び第2光導波路層を含むストライプ状のリッジを形成する工程と、(c)前記第2光導波路層側の前記リッジの部分の全体を第2マスクで覆う工程と、(d)前記第1光導波路層側の前記リッジの両側面に接する領域であって前記エッチングによる露出面上に第1埋込み層を形成する工程と、(e)前記第2マスク及び第1マスクを順次除去した後、前記第2光導波路層側の前記リッジの両側面に接する領域であって前記第2マスクを除去した露出面上に第2埋込み層を形成する工程とを含むことを特徴とする集積化半導体光素子の製造方法。

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