特許
J-GLOBAL ID：200903062246058220
相補型薄膜トランジスタ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-231631
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273348
出願日： 1984年03月06日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】同一半導体に、N型薄膜トランジスタおよびP型薄膜トランジスタを形成して、薄膜相補型薄膜トランジスタの微細化を可能とする。【構成】N型薄膜トランジスタおよびP型薄膜トランジスタで構成する薄膜相補型薄膜トランジスタ回路の共通となる電極部を、同一半導体に形成し、かつ唯一のコンタクトで電極を形成する。【効果】N型薄膜トランジスタとP型薄膜トランジスタのソース・ドレインを離関する必要がなく、各々のドレイン領域にコンタクトを別個に設ける必要がなくなるため、トランジスタ間隔の大幅な縮小が可能となる。また、回路自体の微細化、高集積化に顕著な効果を有する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に設けられた島状の半導体層に形成された2つの薄膜トランジスタであって、一方の薄膜トランジスタは第1導電型領域をソース及びドレイン領域とし、他方の薄膜トランジスタは第2導電型領域をソース及びドレイン領域としてなる2つの薄膜トランジスタを備えてなる相補型薄膜トランジスタ回路であって、前記半導体層は非単結晶層からなり、前記第1導電型領域の一方と前記第2導電型領域の一方とが直接接触してなる接触領域と、該接触領域上に形成され当該相補型薄膜トランジスタ回路の出力を取り出す共通電極とを有することを特徴とする相補型薄膜トランジスタ回路。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/08 331
H01L 29/78 613 A
, H01L 27/08 321 B
