縦型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133136
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329871
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 1000Åから100Åに到る短いチャネル長を有する、動作特性が均一な超高速の縦型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1の主表面2上にエピタキシャル単結晶層からなるドレイン層3と、このドレイン層上に1000Å以下の厚さのエピタキシャル単結晶層からなるチャネル層4と、このチャネル層上にエピタキシャル単結晶層からなるソース層5とを有し、上記ドレイン層、チャネル層及びソース層の側壁上に絶縁ゲート6,7を有する。分子層エピタキシャル法を用いてチャネル層4を成長し、活性酸素を用いた低温CVDでゲート酸化膜を形成し、異方性エッチングにより絶縁ゲートを形成する。

請求項（抜粋）：

基板の主表面上にエピタキシャル単結晶層からなるドレイン層と、このドレイン層上に1000Å以下の厚さのエピタキシャル単結晶層からなるチャネル層と、このチャネル層上にエピタキシャル単結晶層からなるソース層と、を有し、上記ドレイン層、チャネル層及びソース層の側壁上に絶縁ゲートを有することを特徴とする、縦型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/80 , H01L 21/336 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 654 , H01L 29/786 , H01L 21/205

FI (7件)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 D , H01L 29/78 654 C , H01L 21/205 , H01L 29/80 V , H01L 29/78 626 A , H01L 29/78 658 E

Fターム (49件)：

5F045AA00 , 5F045AA15 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE13 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045CA00 , 5F045DA51 , 5F045HA13 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC09 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GR01 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC16 , 5F110AA01 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110HJ04 , 5F110HJ11 , 5F110HJ13 , 5F110HJ15 , 5F110HK09 , 5F110HK13 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110QQ04

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