特許
J-GLOBAL ID：200903062249771598
電力用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064646
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261787
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】接合終端が浅い高耐圧ダイオードの耐圧を改善すること。【解決手段】n型シリコン基板1と、n型シリコン基板1の表面に形成されたp型エミッタ拡散層2と、n型シリコン基板1の表面にp型エミッタ拡散層2に接して選択的に形成されたp型リサーフ層3と、n型シリコン基板1の裏面に形成されたn型エミッタ拡散層とを有する高耐圧ダイオードにおいて、n型シリコン基板1の端面にベベル構造を形成し、さらに、D≦2.67×1010・ND -7/8(ND :基板不純物濃度(cm-3)、D:接合終端と端面との間の距離(cm))の関係を満たすようにする。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板に形成された電力用半導体素子と、前記半導体基板の端面に形成されたベベル構造とを具備してなり、前記電力用半導体素子の接合終端は、前記ベベル構造が形成された端面よりも内側の前記半導体基板の表面に形成され、かつ前記接合終端は、該接合終端に逆バイアス電圧が印加されたときに、前記接合終端から広がる空乏層が、前記ベベル構造が形成された端面に到達する位置に形成されていることを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/68
, H01L 29/74
, H01L 29/78
, H01L 29/861
H01L 29/68
, H01L 29/74 B
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/91 D
