特許

J-GLOBAL ID：200903062249867668

成膜方法,成膜装置及び固形原料

発明者： 江口 和弘 ,  奥村 勝弥 ,  稗田 克彦 ,  清利 正弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211287
公開番号（公開出願番号）：特開2000-104172
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】固体原料を用いて化学的気相成長法による成膜を行う際、十分な原料ガスの流量を確保しつつ、炭素混入量を低減する。【解決手段】粉末状等の固体原料を加圧成形して、円盤状等の形状に成形して形成された固形原料120を加熱して原料ガスを生成し、その原料ガスを化学的気相成長法による成膜工程に用いる。固形原料120を用いた場合は、粉末状の固体原料を加熱して原料ガスを生成する場合より多くの原料ガスを生成する事ができ、また溶媒にとかされて液化された原料を用いる場合より、炭素混入量を低減し得る。また、固形原料を用いることにより、ユーザが原料の詰め換えを容易に行うことが可能となる。

請求項（抜粋）：

化学的気相成長法によって被処理基板上に成膜を行う成膜方法であって、固体原料を一体化して形成された固形原料を加熱することによって昇華させて原料ガスを生成する工程と、少なくとも前記原料ガスを用いて被処理基板上に成膜を行う工程とを含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

C23C 16/44 C ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X