半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225186
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053323
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】多層配線構造を有し、かつヒューズを有する半導体装置において、ヒューズの溶断を容易に行うとともに、配線層にダメージを与えることがない半導体装置を得る。【構成】第1配線層4から第4配線層10を有する多層配線構造に設けられる多結晶シリコンのヒューズ13を、低温CVD法により形成し、かつ多層配線構造の上層部に形成する。ヒューズ13の溶断に際して照射されるレーザ光が透過される膜数が少なくて済み、溶断を容易に行うことができる。また、ヒューズ13の形成に際し、下層の配線層に加熱によるダメージを与えることがない。

請求項（抜粋）：

配線層と層間膜とで多層配線構造を有し、かつその配線層の一部に多結晶シリコンで形成したヒューズを有する半導体装置において、前記ヒューズは低温CVD法により形成され、かつ多層配線構造の上層部に形成されたことを特徴とする半導体装置。

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