特許

J-GLOBAL ID：200903062270850457

半導体基板の製造方法

発明者： 浜口 功 ,  中島 辰雄 ,  矢野 孝幸 ,  日月 應治 ,  津森 泰男
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-237896
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102448
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、シリコン基板に酸素イオンを注入し、熱処理することにより絶縁特性が良くかつシリコン膜との界面が平坦な埋め込み酸化膜を有する高品質なSOI基板を製造する方法を提供する。【構成】 酸素イオン注入後に行う埋め込み酸化膜形成のための熱処理工程において、少なくとも雰囲気の酸素分圧が5×103 Pa以上で、温度が1100°C以上、好ましくは1330°C以上、1410°C以下の熱処理を行うことにより高品質なSOI基板が製造できる。

請求項（抜粋）：

半導体シリコン基板の一表面から酸素イオンをイオン注入することによって、該半導体シリコン基板の中に酸素の高濃度層を形成し、その後該半導体シリコン基板に熱処理を施すことによって、イオン注入した酸素とシリコンとを化学反応せしめて、絶縁物である二酸化シリコン膜を該半導体シリコン基板内部に形成する工程において、該熱処理工程に少なくとも雰囲気の酸素分圧が5×103 Pa以上である熱処理工程を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 J