特許

J-GLOBAL ID：200903062274358379

薄膜形成装置

発明者： 楊 桓
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-143940
公開番号（公開出願番号）：特開平8-311649
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：

【要約】【目的】 蒸発成分を正確に把握制御して所定組成比の化合物薄膜を得ることを可能とした薄膜形成装置を提供する。【構成】 化合物ソース12を用いて基板13上に化合物薄膜の形成を行う薄膜形成装置本体11に、この装置本体11内の各蒸発成分の蒸気圧を測定する質量分析計14を取り付け、質量分析計14の出力データをコントローラ15に転送して、薄膜形成装置本体11内の蒸発成分の蒸気圧が所定値になるように薄膜形成条件を制御する。

請求項（抜粋）：

固体ソースを用いて所定基板上に化合物薄膜の形成を行う薄膜形成装置本体と、この薄膜形成装置本体内の各蒸発成分の蒸気圧を測定する質量分析計と、この質量分析計の出力に基づいて前記薄膜形成装置本体内の蒸発成分の蒸気圧が所定値になるように前記薄膜形成装置本体の薄膜形成条件を制御する制御装置とを有することを特徴とする薄膜形成装置。