特許
J-GLOBAL ID:200903062274415933

半導体製造装置用シール

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-001045
公開番号(公開出願番号):特開2001-192643
出願日: 2000年01月06日
公開日(公表日): 2001年07月17日
要約:
【要約】【課題】本発明の目的は、耐酸素プラズマ特性、ガス透過性、シール性に優れた半導体製造装置用シールを提供することである。【解決手段】上記課題は、フッ化ビニリデン-六フッ化プロピレン共重合体、または、及び、フッ化ビニリデン-六フッ化プロピレン-四フッ化エチレン共重合体100重量部に対して、硫酸バリウム40〜150重量部を配合し、かつ硫酸バリウム以外の無機物を1重量部以下にせしめた組成物を有機過酸化物にて架橋したことを特徴とする半導体製造装置用シールによって解決される。また、この組成物に対し、さらに四フッ化エチレン樹脂0.5〜30重量部を配合してなる半導体製造装置用シールによって解決される。
請求項(抜粋):
フッ化ビニリデン-六フッ化プロピレン共重合体、または、及び、フッ化ビニリデン-六フッ化プロピレン-四フッ化エチレン共重合体100重量部に対して、硫酸バリウム40〜150重量部を配合し、かつ硫酸バリウム以外の無機物を1重量部以下にせしめた組成物を有機過酸化物にて架橋したことを特徴とする半導体製造装置用シール。
IPC (4件):
C09K 3/10 ,  C08F 14/22 ,  C08L 27/16 ,  C09J127/20
FI (5件):
C09K 3/10 M ,  C09K 3/10 Q ,  C08F 14/22 ,  C08L 27/16 ,  C09J127/20
Fターム (30件):
4H017AA04 ,  4H017AA24 ,  4H017AB12 ,  4H017AD06 ,  4H017AE05 ,  4J002BD141 ,  4J002BD161 ,  4J002DG056 ,  4J002EK007 ,  4J002EK037 ,  4J002EK047 ,  4J002EK057 ,  4J002EK067 ,  4J002FD147 ,  4J002FD206 ,  4J002GJ02 ,  4J040DC091 ,  4J040DC092 ,  4J040HA256 ,  4J040HB41 ,  4J040LA06 ,  4J040LA07 ,  4J040NA20 ,  4J100AC24P ,  4J100AC26R ,  4J100AC27Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA28 ,  4J100JA46

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