特許

J-GLOBAL ID：200903062275745856

圧電磁器組成物

発明者： 福岡 修一 ,  神垣 耕世 ,  内 一隆
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330794
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187776
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：

【要約】【目的】圧電歪特性、キュリー温度及び耐久性および変位ヒステリシスの面で優れ、特に圧電アクチュエータや圧電センサとして適した圧電磁器組成物を提供する。【構成】金属成分としてPb、Zr、Ti、Zn、Sb、Ni、Teと、SrおよびBaのうち少なくとも一種を含む複合ペロブスカイト型化合物であって、これらの金属元素のモル比による組成式を、Pb<SB>1-x-y </SB>Sr<SB>x </SB>Ba<SB>y </SB>(Zn<SB>1/3 </SB>Sb<SB>2/3 </SB>)<SB>a </SB>(Ni<SB>1/2 </SB>Te<SB>1/2 </SB>)<SB>b </SB>Zr<SB>c </SB>Ti<SB>1-a-b-c </SB>O<SB>3 </SB>と表わした時、x,y,a,b,cが、0≦x≦0.14、0≦y≦0.14、0<x+y、0.01≦a≦0.12、0.002≦b≦0.020、0.43≦c≦0.58を満足するものである。

請求項（抜粋）：

金属成分としてPb、Zr、Ti、Zn、Sb、Ni、Teと、SrおよびBaのうち少なくとも一種を含む複合ペロブスカイト型化合物であって、これらの金属元素のモル比による組成式をPb<SB>1-x-y </SB>Sr<SB>x </SB>Ba<SB>y </SB>(Zn<SB>1/3 </SB>Sb<SB>2/3 </SB>)<SB>a </SB>(Ni<SB>1/2 </SB>Te<SB>1/2 </SB>)<SB>b </SB>Zr<SB>c</SB>Ti<SB>1-a-b-c </SB>O<SB>3 </SB>と表わした時、x,y,a,b,cが、0 ≦x≦0.140 ≦y≦0.140 <x+y0.01 ≦a≦0.120.002≦b≦0.0200.43 ≦c≦0.58を満足することを特徴とする圧電磁器組成物。

IPC (2件)：

C04B 35/49 ,  H01L 41/187

FI (2件)：

C04B 35/49 W ,  H01L 41/18 101 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-026099
  
• 特開昭49-027897