特許
J-GLOBAL ID：200903062287326662
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360525
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182786
出願日： 1991年12月30日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 圧力の低圧化やダスト低減可能である等の利点を生かしつつ、被処理体のごく近傍で高密度プラズマを生成でき、しかもイオンエネルギーの独立制御を可能にして、制御性の向上、高選択性、低ダメージ化を図ったプラズマ処理装置の提供。【構成】 マイクロ波を導入1することにより、処理室内にプラズマを生成し、被処理体3に水平磁場4(好ましくは被処理体に対し相対的に回転する水平磁場)をかけるとともに被処理体がわに電圧を印加して水平磁場にエレクトロン放電を起こさせる構成のプラズマ処理装置。
請求項（抜粋）：
マイクロ波を導入することにより、処理室内にプラズマを生成し、被処理体に水平磁場をかけるとともに被処理体がわに電圧を印加して水平磁場にエレクトロン放電を起こさせることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, H01L 21/205
, H01L 21/302
, H01L 21/31
