特許

J-GLOBAL ID：200903062289718630

不揮発性ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ

発明者： アレクサンドル・アコビック ,  チン・シアン・スー ,  マシュー・ロバート・ワードマン ,  ベイン・ソン・フー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028765
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005801
出願日： 1993年02月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 2層の浮動ゲートを有しており、記憶コンデンサの内容を電力中断時に浮動ゲートへ転送できるようにする1トランジスタ不揮発性DRAMセルを提供する。【構成】 浮動ゲートの第1層はトンネル酸化物によって記憶コンデンサの記憶ノードから離隔され、電子が浮動ゲートと記憶コンデンサの間のトンネルを通過できるようにする。本発明の他の実施例においては、二重電子インジェクタが1層の浮動ゲートと記憶ノードの間に配置され、電子が浮動ゲートと記憶ゲートの間に注入できるようにする。本発明の他の実施例においては、浮動ゲート上の電荷を除去するための消去ゲートが実現される。消去ゲートをトンネル酸化物、または単電子インジェクタ構造によって分離し、電子が浮動ゲートから消去ゲートへ移動できるようにすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された絶縁材の層と、前記半導体基板内に形成された記憶ノードを有する記憶コンデンサと、前記絶縁材の前記層の表面に形成された制御電極と、前記半導体基板内に形成されたソース拡散領域と、前記記憶ノードと前記ソース拡散領域の間に配置された転送トランジスタと、前記制御電極と前記半導体基板の前記表面との間の前記絶縁材の前記層内に形成された浮動ゲートとを有し、前記浮動ゲートが第1層と第2層とを有し、前記第1層が前記記憶ノード上に配置され、かつ前記浮動ゲートと前記記憶コンデンサの間で電荷を直接転送するために、電子が前記記憶ノードとの間をトンネル通過できるような厚さを持つ前記絶縁材によって前記記憶ノードから分離されており、前記第2層が前記第1層よりも前記半導体基板の表面から遠いところに配置されており、そして前記第1層が前記第2層に接続されている不揮発性ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・セル。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 14/00 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 441 ,  G11C 11/34 352 A ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-119667
  
• 特開平2-007289