特許

J-GLOBAL ID：200903062292864125

強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 渡辺 均 ,  安達 日出夫 ,  由森 博之
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-042029
公開番号（公開出願番号）：特開平5-085704
出願日： 1991年03月07日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：

【要約】【目的】本発明は、PZT系強誘電体薄膜のPb欠乏,膜絶縁性の不具合を飛躍的に改善して高度な電子デバイス用途にも供し得ることを主要な目的とする。【構成】基体上に第1の前駆体溶液を塗布し、加熱処理して第1の薄膜を形成する工程と、前記第1の薄膜上に前記第1の前駆体溶液よりも鉛成分を多く含む第2の前駆体溶液を塗布し、加熱処理して第2の薄膜を形成する工程と、前記第1・第2の薄膜を焼成して複合酸化物強誘電体の薄膜を形成する工程とを具備する事を特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

基体上に第1の前駆体溶液を塗布し、加熱処理して第1の薄膜を形成する工程と、前記第1の薄膜上に前記第1の前駆体溶液よりも鉛成分を多く含む第2の前駆体溶液を塗布し、加熱処理して第2の薄膜を形成する工程と、前記第1・第2の薄膜を焼成して複合酸化物強誘電体の薄膜を形成する工程とを具備する事を特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C01B 13/14 ,  C01G 1/00 ,  C01G 25/00 ,  G11C 11/22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-009705
  
• 特開昭50-121828