半導体薄膜の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011069
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209050
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】ファセットのない平坦な形状をした選択シリコンエピタキシャル薄膜を超高真空環境を必要としない減圧CVD法において実現する。【解決手段】反応室とは別に設けられた原子状水素形成室で形成した原子状水素と膜形成原料ガスを反応室に導入して、750-900°Cの成長温度かつ反応室内の圧力1-30Torrにおいて選択シリコンエピタキシャル成長を行う。

請求項（抜粋）：

選択シリコンエピタキシャル膜の成長方法において、成長温度を750〜900°Cの範囲とし、反応室内の圧力を1〜30Torrの範囲に維持しながら、膜形成原料ガスと原子状水素を反応室に導入することを特徴とする、半導体薄膜の製造方法。

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