特許
J-GLOBAL ID:200903062296265226
櫛形電極及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
遠山 勉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-169477
公開番号(公開出願番号):特開2001-352147
出願日: 2000年06月06日
公開日(公表日): 2001年12月21日
要約:
【要約】【課題】製造の精度が良く且つ適正に被測定物の静電容量を計測することができる櫛形電極を提供する。【解決手段】本発明による櫛形電極では、電極対を構成する複数の導体層101,102が、そのパターンと凹凸が逆のパターンを備えたスタンパ1を用いて樹脂2に電極対のパターンを転写することにより形成された各溝を導体で埋めることにより形成される。
請求項(抜粋):
複数の導体層が1つの方向に距離をおいて並べられ、前記方向に隣り合う導体層同士が電極対を構成するようにした櫛形電極であって、前記複数の導体層は、そのパターンと凹凸が逆のパターンを備えたスタンパを用いて樹脂に前記電極対のパターンを転写することにより形成された各溝を導体で埋めることにより形成されたことを特徴とする櫛形電極。
IPC (3件):
H05K 3/00
, H05K 3/22
, G01R 27/26
FI (4件):
H05K 3/00 W
, H05K 3/22 B
, G01R 27/26 C
, G01R 27/26 H
Fターム (22件):
2G028AA01
, 2G028AA03
, 2G028BC02
, 2G028CG07
, 2G028CG09
, 2G028HM04
, 2G028HM05
, 2G028HN01
, 2G028MS03
, 5E343AA01
, 5E343AA11
, 5E343BB08
, 5E343BB16
, 5E343BB21
, 5E343BB24
, 5E343BB61
, 5E343BB71
, 5E343DD25
, 5E343DD43
, 5E343DD75
, 5E343ER49
, 5E343GG08
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