特許

J-GLOBAL ID：200903062301586141

化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 渡辺 政孝 ,  皆瀬 恒幸 ,  篠原 政幸
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-365057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045860
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 混晶率の急激な変動を可能とし、しかも高品質なエピタキシャル層を成長することができる化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 燐化ガリウムGaPあるいは砒化ガリウムGaAsからなる化合物半導体単結晶基板上に燐化砒化ガリウムGaAs1-x Px の混晶率変化層4をエピタキシャル成長させる工程において、化合物半導体単結晶基板を構成しない第V族元素の原料となる第V族系気体の供給量を急増し且つ緩減することを1回以上行うと同時に、化合物半導体単結晶基板を構成する第V族元素の原料となる第V族系気体の供給量を漸減することにより、第III 族系気体と第V族系気体との分圧積を急増させ且つ緩減させて、燐化砒化ガリウムGaAsX P1-X の混晶率変化層内に混晶率増加部と混晶率減少部を1組以上形成する。

請求項（抜粋）：

燐化ガリウムGaPあるいは砒化ガリウムGaAsからなる単結晶基板と、燐化砒化ガリウムGaAs1-a Pa 〔ただし、(1-a)は砒化ガリウムGaAsの混晶率、aは燐化ガリウムGaPの混晶率を表し、0≦a≦1を満たす実数である。〕からなる混晶率一定層との間に、燐化砒化ガリウムGaAs1-x Px 〔ただし、(1-x)は砒化ガリウムGaAsの混晶率、xは燐化ガリウムGaPの混晶率を表し、0≦x≦1を満たす実数である。〕からなる混晶率変化層が介在されてなる化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法において、ガリウムGaを供給する第III 族系気体と、砒素Asあるいは燐Pを供給する第V族系気体とを用いて前記混晶率変化層をエピタキシャル成長させるに際し、前記単結晶基板を構成する第V族元素の原料となる第V族系気体の供給量を全体的傾向として漸減させながら、前記単結晶基板を構成しない第V族元素の原料となる第V族系気体の供給量の急増/緩減サイクルを少なくとも1回設けることにより、前記第III 族系気体の分圧と前記第V族系気体の合計分圧との分圧積を少なくとも1回急増/緩減させて、前記混晶率変化層の成長方向に前記混晶率(1-x)あるいは混晶率xの増加部と減少部との組を少なくとも1組形成することを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 E ,  H01L 33/00 B