特許
J-GLOBAL ID：200903062304811731
CVDエピタキシャル成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-320819
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093477
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 基板を回転せずに、結晶成長膜厚の均一性を達成することができる、CVDエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 本発明のCVDエピタキシャル成長方法によれば、SiCのCVDエピタキシャル成長方法において、原料ガスとして、該ガス1mol中にSiをxmol含むガスを用いるに際し、該ガスの分圧を33.33/x(Pa)以上にすることを特徴とし、基板上に存在するガスの中心温度と基板温度との差が200°C以下であり、かつ、該ガスの中心温度が1300°C以上であることが好ましい。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
SiCのDVDエピタキシャル成長方法において、基板上に原料ガスのクラスタを発生させ、該クラスタを熱分解することによって発生した活性種を前記基板上に沈着させることを特徴とする、CVDエピタキシャル成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA29
, 4K030BA37
, 4K030BB02
, 4K030FA10
, 5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AC19
, 5F045AD16
, 5F045AD17
, 5F045AD18
, 5F045AF02
, 5F045BB08
, 5F045DP04
, 5F045DQ06
