特許

J-GLOBAL ID：200903062308042031

真空蒸着方法および装置

発明者： 蛯原 健治
出願人/特許権者： 財団法人くまもとテクノ産業財団
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-109681
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303771
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 簡素な工程で、不純物が少なく、所望の結晶構造および形状の薄膜を容易に得ることのできる真空蒸着方法および装置を提供する。【解決手段】 合成石英からなる基板12側からレーザビーム13をシリコンからなる蒸着源11に照射する。基板12はレーザビーム13を透過させるが、蒸着源11からの輻射エネルギーのうち遠赤外部のエネルギーのみを吸収して加熱される。レーザビーム13が照射された位置で基板12が高温となって蒸着材料11Cが堆積し、レーザビーム13が他の位置へ移動すると、以前の照射位置では結晶化に適した低温となるので堆積した蒸着材料11Cの結晶化が進行し、多結晶シリコンからなる薄膜20が残る。蒸着源11の温度を1000度近辺に設定するだけで、基板12を結晶成長に最適な温度範囲に制御でき、蒸着材料11Cの堆積と高い結晶化とがほぼ同時に起こる理想的な結晶成長が実現される。

請求項（抜粋）：

所定の波長を有するエネルギービームを透過させると共に前記エネルギービームの波長とは異なる波長に吸収帯を有する基板と、前記エネルギービームを吸収する蒸着材料を含む蒸着源とを間隙を介して対向配置し、前記基板側から前記エネルギービームを前記蒸着源に照射することを特徴とする真空蒸着方法。

IPC (2件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/22

FI (2件)：

H01L 21/203 Z ,  C23C 14/22 A

Fターム (19件)：

4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BB08 ,  4K029CA01 ,  4K029CA09 ,  4K029DB20 ,  4K029DB22 ,  5F103AA01 ,  5F103BB23 ,  5F103BB42 ,  5F103DD16 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06