特許
J-GLOBAL ID：200903062327855264

銅表面の化学的機械研磨用の腐食抑止研磨スラリー

発明者：
オーベン,ヤウ エス.

オーベン,ヤウ エス. について


出願人/特許権者：
サイロクエスト インコーポレーテッド

サイロクエスト インコーポレーテッド について


代理人 (9件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  産形 和央 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-546879
公開番号（公開出願番号）：特表2006-504270
出願日： 2003年10月14日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
本発明はポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体で半導体基板の金属表面を化学的機械研磨(CMP)するためのスラリーを提供する。スラリーは研磨粒子安定剤と、半導体基板上の金属表面の研磨中にスラリーを約2.5から約4.0の間のpH値に保つ酸緩衝剤とを含んでいる。さらに別の実施形態では、本発明はCMP研磨システムを提供する。研磨システムは半導体基板上の金属表面の研磨中にスラリーを約1から約6の間のpH値に保つスラリーを備えている。システムはさらに、研磨中に金属表面の一部を除去するためにスラリーと協働するポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム基板を有する研磨体を含む研磨パッドを備えている。
請求項（抜粋）：
ポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体で半導体基板の金属表面を化学的機械研磨(CMP)するためのスラリーであって、 半導体基板上の金属表面の研磨中に前記スラリーを約2.5乃至約4.0の間のpH値に保つ酸緩衝剤と、 研磨粒子安定剤と、 を含むスラリー。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (6件)：
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (7件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA06 ,  3C058CB01 ,  3C058CB04 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 米国特許出願第10/000,101号
  • 米国特許出願第10/241,074号
  • 米国特許第6,425,816号
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