特許
J-GLOBAL ID：200903062330045451
ステンシルマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-269546
公開番号（公開出願番号）：特開平7-181672
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 ステンシルマスクにおいて、ビーム吸収膜に必要な膜厚を確保しかつビーム吸収膜に形成される加工パターンの加工精度を向上する。さらに、製造工程数を減少する。【構成】 ステンシルマスクの製造方法において、マスク基板1の一表面上に中間体膜2のマスクパターンに基づきエグレ部1hが形成され、さらにビーム吸収膜3に加工パターン4が転写される。中間体膜2が薄くできるので、中間体膜2のマスクパターンの加工精度が向上できる。ビーム吸収膜3が厚く形成されても中間体膜2のマスクパターンに基づきビーム吸収膜3に加工パターン4が転写され、加工パターン4の加工精度は向上される。一方、エグレ部1hには余分なビーム吸収膜3が一時的に堆積される。加工ビーム通過窓の形成工程においてエグレ部1h及び余分なビーム吸収膜3が除去される。さらに、中間体膜2はそのままステンシルマスクを構成する膜として使用される。
請求項（抜粋）：
下記工程(1)乃至工程(5)を備えたことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。(1)マスク基板の一表面上に所望のマスクパターンを有する副積層膜を形成する工程。(2)前記副積層膜のマスクパターンに基づいて前記マスク基板の一表面からマスク基板の裏面に向かって前記マスク基板の一部を除去し、前記マスク基板の一表面側にエグレ部を形成する工程。(3)前記マスク基板に対して選択的に前記副積層膜を除去する工程。(4)前記副積層膜が除去されたマスク基板の一表面上及び前記エグレ部内に少なくとも加工ビームの吸収機能又は反射機能を有する主積層膜を堆積する工程。(5)前記マスクパターンが形成された領域において少なくとも前記マスク基板の裏面から一表面側のエグレ部に達するまで前記マスク基板をエッチングで除去するとともに前記エグレ部内に堆積された主積層膜を除去し、マスク基板を貫通する加工ビーム通過窓を形成する工程。
IPC (3件)：
G03F 1/16
, G03F 7/26 513
, H01L 21/027
