加速度センサとその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366814
公開番号（公開出願番号）：特開2004-198243
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】信頼性と精度の高い加速度センサを提供する。【解決手段】2枚のシリコン基板10,20を絶縁層30で貼り合わせたSOIウエハをエッチングし、第1のシリコン基板10に開口部11を設けることによって、周辺固定部12、錘固定部13、梁部14、ストッパ部15の各領域を形成する。一方、第2のシリコン基板20には、台座部21とこの台座部よりも若干薄い錘部23を形成する。そして、周辺固定部12と台座部21、及び錘固定部13と錘部23の接続箇所以外の絶縁層30をエッチングで除去する。錘部23とストッパ部15が重なるような寸法に形成することにより、この錘部23の加速度による変位は、ストッパ部15と台座部21が固定された容器の底面で制限される。これにより、過大な加速度による破壊を防止することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

錘固定部を可撓的に支持する周辺固定部と、前記錘固定部に固定された錘部と、前記錘部を容器の底面から所定の間隔をおいて配置するために前記周辺固定部を該容器に固定する台座と、前記錘部の変位を制限するために前記容器の反対側に一定の間隔をおいて配置したストッパとを、備えたことを特徴とする加速度センサ。

IPC (4件)：

G01P15/08 , G01P15/12 , G01P15/18 , H01L29/84

FI (4件)：

G01P15/08 P , G01P15/12 Z , H01L29/84 A , G01P15/00 K

Fターム (16件)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA33 , 4M112CA34 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA06 , 4M112DA09 , 4M112DA11 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112FA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体加速度センサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-204597 出願人：松下電工株式会社
特開平3-114272
特開平3-114272

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