特許
J-GLOBAL ID：200903062338148152
半導体装置と外部端子との接合方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269854
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106490
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置と外部端子とをレーザー光を用いて所定位置で確実に熔接接合できるようにする。【構成】 半導体装置の周辺部に外部端子4を接着剤で仮固定する際に、接着剤の厚みに略相当する距離だけ外部端子4の先端部4aを予めディプレスしておくことにより、あるいは接着剤の厚みに略相当する深さの凹部を外部端子の半導体装置側の表面又は半導体装置表面に予め設けておき、その凹部に接着剤を配設し、接着剤により半導体装置の周縁部に外部端子の先端部4aを半導体装置の外部導通用の接続端子部に密着させ、そして外部端子の先端にレーザー光を照射して外部端子と半導体装置の接続端子部とを熔接する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の周辺部に外部端子を接着剤で仮固定する際に、接着剤の厚みに略相当する距離だけ外部端子の先端部を予めディプレスしておくことにより外部端子の先端部を半導体装置の外部導通用の接続端子部に密着させ、そして外部端子の先端にレーザー光を照射することにより外部端子と半導体装置の接続端子部とを熔接することを特徴とする、半導体装置と外部端子との接合方法。
IPC (2件)：
H01L 23/50
, B23K 26/00 310
